1月5日，國家知識產(chǎn)權(quán)局公布了多項光伏發(fā)明專利。

天合光能一馬當(dāng)先，拿下5項光伏發(fā)明專利，涉及異質(zhì)結(jié)、鈣鈦礦和晶體硅。

雜化異質(zhì)結(jié)太陽能電池及電池組件和制備方法

資料顯示，名為“雜化異質(zhì)結(jié)太陽能電池及電池組件和制備方法”的專利申請公布號為：CN117352566A，專利申請時間為2023年12月4日。

申請摘要顯示，本申請?zhí)峁┝艘环N雜化異質(zhì)結(jié)太陽能電池及電池組件和制備方法，包括半導(dǎo)體襯底，具有相對的襯底正面和襯底背面，能夠在電池表面獲得穩(wěn)定的鈍化效果，并且能夠降低電池非金屬區(qū)域的光吸收，同時實現(xiàn)更好的工藝流程控制。

鈣鈦礦太陽電池組件

“鈣鈦礦太陽電池組件”的專利申請公布號為CN117355157A，申請時間為2023年10月27日。

申請摘要顯示，本發(fā)明公開了一種鈣鈦礦太陽電池組件。本發(fā)明的鈣鈦礦太陽電池組件包括背面面板、背面封裝膠膜、背面密封膜層、鈣鈦礦電池、保護(hù)膜層、正面封裝膠膜以及正面面板，能夠避免生產(chǎn)過程中因激光劃線導(dǎo)致鈣鈦礦裸露而直接與封裝劑材料接觸導(dǎo)致鈣鈦礦內(nèi)部分解的問題，穩(wěn)定性大幅提升。

光電器件及其制備方法、光電組件和光伏系統(tǒng)

資料顯示，名為“光電器件及其制備方法、光電組件和光伏系統(tǒng)”的專利申請公布號為：CN117355151A，專利申請人為高紀(jì)凡、夏銳等，申請時間為2023年12月4日。

該申請涉及光電技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種光電器件及其制備方法、光電組件和光伏系統(tǒng)，用以提高該光電器件的界面?zhèn)鬏斝阅堋?/p>

晶體硅太陽能電池及其制備方法和應(yīng)用

“晶體硅太陽能電池及其制備方法和應(yīng)用”的專利申請公布號為CN117352571A，申請人為高紀(jì)凡、王昭等，申請時間為2023年10月24日。

申請摘要顯示，本申請涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種晶體硅太陽能電池及其制備方法和應(yīng)用，該電池具有較高的電池效率。

鈍化接觸太陽能電池及其制作方法

資料顯示，名為“鈍化接觸太陽能電池及其制作方法”的專利申請公布號為：CN117352564A，專利申請時間為2023年10月8日。

該發(fā)明提供鈍化接觸太陽能電池及其制作方法，在多晶硅層背離隧穿層的一側(cè)形成鈍化層，能夠在印刷制作第二電極時延緩漿料向多晶硅層的腐蝕速率，在確保第二電極與多晶硅層接觸電連接的同時，防止多晶硅層被漿料腐蝕擊穿，使得多晶硅層減薄的窗口變大，有效提高鈍化接觸太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，提升電池性能。

此外，福斯特的一項名為“光伏電池片及制備方法和光伏組件”發(fā)明專利因其能夠提高光伏電池片的抗隱裂性能引起了較大關(guān)注。

資料顯示，該專利申請公布號為CN117352574A，申請時間為2023年9月28日。

申請摘要顯示，本發(fā)明提供了一種光伏電池片及其制備方法和光伏組件。本發(fā)明提供的光伏電池片具有第一表面和與第一表面相對設(shè)置的第二表面，該光伏電池片具有隱裂區(qū)域，該隱裂區(qū)域相對于第一表面凸起形成空腔，空腔中填充有緩沖介質(zhì)，且緩沖介質(zhì)的厚度小于光伏電池片的厚度。

本發(fā)明提供的光伏電池片通過在空腔中填充緩沖介質(zhì)，使得易隱裂區(qū)域受力產(chǎn)生形變時，緩沖介質(zhì)能夠起到緩沖和減震效果，進(jìn)而提高光伏電池片的抗隱裂性能，滿足客戶端對光伏組件抗隱裂性能的要求，具有廣闊的應(yīng)用前景。

據(jù)悉，隱裂是指電池片（組件）受到較大的機械或熱應(yīng)力時，可能在電池單元產(chǎn)生肉眼不易察覺的隱性裂紋。電池片（組件）發(fā)生隱裂，會造成光伏產(chǎn)品的功率損失，一般情況下，對組件電性能的影響小，而裂片對組件功率損失非常大。

據(jù)了解，晶科能源、天合光能、太陽能科技等企業(yè)均因產(chǎn)品隱裂問題遭遇過投訴。

此專利的發(fā)明，能夠在一定程度上提高光伏產(chǎn)品的性能和使用壽命，對于光伏制造商而言，無疑是件極大的好事。

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